GeO2 は、ルチル構造、α石英構造、CaCl2 タイプ、α-PbO2 タイプ、pyriteタイプの5つの結晶多型をもちます。その中でもルチル構造r-GeO2 は、4.6eVという巨大なバンドギャップをもち、ｎ型、ｐ型の両伝導が理論予測されている事から次世代の高性能Normally-off型MOSFET等への応用が期待されています。一方で三方晶のα石英構造GeO2は6.
低損失化・小型化
大きな禁制帯幅(バンドギャップ)をもつ半導体材料は大きな絶縁破壊電界強度をもつ傾向があります。
一方で、バンドギャップの大きさとメジャーキャリア密度は経験則的にトレードオフの関係にあるため、
バンドギャップが大きい材料ほど絶縁体として振舞い、半導体としての電気特性を示さなくなります。
この矛盾する性質を高いバランスで両立する材料を探索する事が、新しいパワー半導体材料研究では重要な指針となります。
当社は現在開発が進められている二酸化ゲルマニウム(GeO₂ )に着目し、その社会実装を目指します。
高耐圧化
GeO₂ は大きなバンドギャップをもち、バルク・薄膜ともに低いコストでの作製が見込まれるため、既存材料では困難な高耐圧、高出力市場の創出が期待されます。例えば、超高出力電源やモーターの作製、小型インバータ、宇宙用パワーデバイス、耐放射線用パワーデバイスなどの実現が予想されます。
GeO2半導体は三拍子そろったパワー半導体
GeO2 半導体製品
(開発中)
有償サンプル
GeO₂ on Si基板
(有償サンプル提供中)
- 特長：安価なSi基板上に二酸化ゲルマニウム結晶を成長させたヘテロエピ基板です。導電性バッファ層を採用することで縦型デバイスの研究開発に適しています。
- 用途：パワーMOSFET、SBDなど。SiCよりも安価な応用研究向け
GeO₂ on SiC基板
(有償サンプル提供中)
- 特長：特長:高い熱伝導率を誇るSiC基板上に成長させた二酸化ゲルマニウム ヘテロエピ基板です。
- 用途：パワーMOSFET、SBDなど。放熱性が重要となる応用研究向け。
GeO₂ on TiO₂基板
(有償サンプル提供中)
- 特長：二酸化ゲルマニウムと同じ結晶構造を有するTiO₂基板上の 二酸化ゲルマニウムヘテロエピ基板です。
- 用途：基礎研究向け
【有償サンプルのご案内】
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GeO2 研究成果
Patentix会社紹介動画
- KSII×SMBC主催第三回Challennge万博『いのち輝く未来社会へ』にて公開された当社公開動画
- 12th IEEE CPMT Symposium Japan (ICSJ20239にて 公開された当社紹介動画